氮化铝陶瓷基板
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AIN陶瓷基板


       近年来,集成电路及高功率LED器件行业飞速发展。随着功率器件工作电压及电流的增加,芯片尺寸的不断减小,芯片的功率密度急剧增加,散热问题已成为封装器件快速发展的瓶颈。氮化铝(AlN)具有优良的高热导性,且绝缘性能佳,是新一代基片的理想材料,更是解决大功率的LED器件、LD、晶体管、集成电路和IGBT等封装器件散热瓶颈的最优选材料。

我公司深入研究高散热AlN陶瓷基板材料制备、表面金属化、模组封装等技术,采用自主创新技术制备AlN膜片,专门适用于大功率LED器件集成封装的应用基板材料,且在材料散热性能、抗弯强度和封装后LED 器件的性能方面优势明显。该产品,经权威检测及客户反馈,完全满足应用需求。 


氮化铝陶瓷基板产品性能参数

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                            氮化铝陶瓷基片常规尺寸                           

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氮化铝陶瓷圆片常规尺寸

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                                                                                    注:其余尺寸可定制加工。